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3DTLC威力如何三星850EVO首发评测OFweek电子工程网dd

发布时间:2021-01-20 08:05:36 阅读: 来源:足球厂家

3D TLC威力如何?三星850 EVO首发评测 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯:凭借雄厚的工厂资源,三星第一个将TLC闪存投入了实用,并连续推出了840、840EVO两代产品,都是物美价廉的代表。现在,第三代的 850EVO 来了,而且第一次应用了3DV-NAND堆叠的TLC。 这种闪存规格从一诞生就争议不断,相比于单位的SLC、双位的MLC,三位的它成本更低,但是相对寿命短很多,性能也差一些。 虽说无论从理论还是实际上看,TLC应付日常应用都绰绰有余,但是用户对它的长期可靠性一直都没有放下心来。 特别是这段时间,iPhone6部分也用了TLC闪存,结果出现了一些毛病,更是质疑声群起。在此之前,840EVO、840先后出现了老数据读取掉速的问题,虽然三星极力否认和TLC有关,但实在没法让人信服。 另一方面,三星也是第一个玩起3D堆叠闪存技术的,都发展到了第二代。 850EVO也是3D、TLC两种技术第一次结合在一起,堆了多达32层,能开出什么花呢?日本网站4Gamer抢先公布了对它的实际评测。 【850EVO规格解析】 850EVO仍是传统的SATA6Gbps2.5寸盘规格,6.8毫米超薄,容量分为120GB、250GB、500GB、1TB,搭配缓存256MB-1GB,安全技术支持AES256-bit、TCGOpal2.0,平均故障间隔时间150万小时,终生数据写入量75-150TB 此前210/250GB版只有44TB。 不过闪存颗粒的具体工艺暂时不详。 性能方面,持续读写最高都是540MB/s、520MB/s,随机读写则是最高94000-98000IOPS、88000-90000IOPS。2.5寸盘顶天也就是这样了,但是对于TLC来说已经很高很高,基本可以媲美MLC。 值得一提的是主控,120-500GB用的是最新一代MGX,据称优化了性能,特别是低容量下的随机性能。1TB的则是和上代相同的MEX,后者的功耗也略高一些。 从三星给出的数据看,同容量的850EVO随机写入性能的确比840EVO高很多,即便是同样主控的1TB版也更快了,队列深度1的时候都能加速21%,队列深度32的时候120GB版可以加速1.5倍! 840EVO引入写入加速技术 TurboWrite 也延续了下来,它是通过将TLC模拟成高速的SLC来提升性能,现在号称更猛了,尤其是持续写入可以加快7-19%。 RAPID技术同样还在,简单地说是借助系统内存和CPU资源缓存频繁访问的数据,进行加速。 另外,质保时间也从3年提高到了5年,相信可以让大家更放心一些了。

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